9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3A03E6TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3A03E6TC参考价格为5.214美元。Diodes Incorporated ZXMN3A03E6TC封装/规格：MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6。您可以下载ZXMN3A03E6TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN3A02X8TA是MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP，包括ZXMN3A0系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004938盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于MSOP-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5.5 ns，上升时间为5.5纳秒，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为6.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为3.9ns，Qg栅极电荷为26.8nC，沟道模式为增强。
ZXMN3A03E6TA是MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如2.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN3A系列，该器件的上升时间为6.4 ns，漏极-源极电阻Rds为65 mOhms，Pd功耗为1.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.6 A，下降时间为6.4 ns，配置为单四漏，通道模式为增强。
ZXMN3A02N8TC是由10ZETEX制造的N信道30V 7.3A（Ta）1.56W（Ta）表面安装8-SO。ZXMN3A02N8TC采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分，支持N通道30V 7.3A（Ta）1.56W（Ta）表面安装8-SO。
ZXMN3A03E6，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN3A03E6在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
