9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN4A06KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN4A06KTC参考价格为3.91美元。Diodes Incorporated ZXMN4A06KTC封装/规格：MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3。您可以下载ZXMN4A06KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZXMN4A06KTC价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZXMN4A06GTA是MOSFET N-CH 40V 5A SOT223，包括ZXMN4A系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为770pF@40V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为50 mOhm@4.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18.2nC@10V，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.35 ns，上升时间为4.45ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28.61ns，典型导通延迟时间为2.55ns，沟道模式为增强型。
ZXMN3G32DN8TA是MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.002610 oz，典型开启延迟时间设计为2.5 ns，以及14 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术提供，器件具有8-SO供应商器件封装，系列为ZXMN3，上升时间为3.1ns，Rds On Max Id Vgs为28mOhm@6A，10V，Rds On漏极源极电阻为28m欧姆，功率最大值为1.8W，Pd功耗为2.1W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为472pF@15V，Id连续漏极电流为7.1 A，栅极电荷Qg Vgs为10.5nC@10V，FET类型为2 N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为9.7 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为5.5A，配置为双通道，通道模式为增强型。
ZXMN3G32DN8TC，电路图由10ZETEX制造。ZXMN3G32DN8TC采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
