9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A25K，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A25K参考价格$4.264。Diodes Incorporated ZXMN6A25K封装/规格：MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3。您可以下载ZXMN6A25K英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMN6A25GTA是MOSFET N-CH 60V SOT223，包括ZXMN6A25系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1063pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为50 mOhm@3.6A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20.4nC@10V，Pd功耗为3.9 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10.6 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为50 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26.2 ns，典型开启延迟时间为3.8ns，信道模式为增强。
ZXMN6A25DN8TC，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN6A25DN8TC采用SOIC-8封装，是IC芯片的一部分。
带有电路图的ZXMN6A25GTC ZXMN6A25 GTC以SOT223-3封装形式提供，是IC芯片的一部分。
