9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFP3N50PM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFP3N50PM价格参考23.896美元。IXYS IXFP3N50PM封装/规格：MOSFET N-CH 500V 2.7A TO220AB。您可以下载IXFP3N50PM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFP3N120是MOSFET 3安培1200V 4.50 Rds，包括IXFP3N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为200 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为39nC，正向跨导最小值为1.5S，并且信道模式是增强。
带有用户指南的IXFP34N65X2，包括2.7 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供0.012346盎司等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为46 ns，以及47 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HiPerFET，该器件采用Si技术，该器件具有45纳秒的上升时间，漏极-源极电阻Rds为105毫欧，Qg栅极电荷为56 nC，Pd功耗为540 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为34 A，正向跨导最小值为14 S，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFP26N50P3是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括26 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-220-3，提供管、Rds漏极源电阻等封装特性，设计用于240 mOhms，以及IXFP26N60系列，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为HyperFET，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.012346盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500 V。
IXFP36N30P3具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用HyperFET商标。
