9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFP5N50PM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFP5N50PM参考价格为1.576美元。IXYS IXFP5N50PM封装/规格：MOSFET N-CH 500V 3.2A TO220AB。您可以下载IXFP5N50PM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFP5N50P3是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括IXFP5N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar3 hipperFET，以及to-220-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，Pd功耗为114 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs栅-源极阈值电压为5 V，Rds漏极-源极电阻为1.65欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为6.9nC，正向跨导最小值为2.5S，沟道模式为增强。
IXFP5N100P是MOSFET 5安培1000V，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFP5N100，该器件的漏极电阻为2.8欧姆Rds，该器件具有250W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，并且Id连续漏极电流为5A，并且配置为单一。
IXFP4N60P3是MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/快速二极管，包括4 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表说明中显示了用于to-220-3的封装盒，该封装盒提供了管、Rds漏极电阻等封装功能，设计为2.2欧姆工作，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为HyperFET，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.012346盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600 V。
