9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR32N50Q,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR32N50Q参考价格$4.546。IXYS IXFR32N50Q封装/规格:MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247。您可以下载IXFR32N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR30N60P是MOSFET 600V 30A,包括IXFR30N80系列,它们设计用于管式封装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.186952盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,商品名设计用于HyperFET,以及to-247-3封装盒,该器件也可以用作硅技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为166 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为25 ns,上升时间为20 ns,Vgs栅源电压为30 V,Id连续漏极电流为15A,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Rds导通漏极-漏极电阻为250m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为75ns,典型接通延迟时间为22ns,正向跨导最小值为27S,沟道模式为增强型。
IXFR32N100P是MOSFET 32安培1000V,包括30 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.056438盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如50 ns,典型的关闭延迟时间设计为76 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,商品名为HyperFET,该器件采用Si技术,该器件具有IXFR32N100系列,上升时间为55ns,Rds漏极源极电阻为340mOhms,Pd功耗为320W,封装为Tube,封装盒为TO-247-3,通道数为1通道,安装样式为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏电流为18 A,下降时间为43 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IXFR32N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A,包括单一配置,它们设计为在23A Id连续漏电流下工作,其最大工作温度范围为+150 C,提供安装方式功能,如通孔、通道数设计为在1个通道中工作,以及to-247-3封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,Pd功耗为570 W,器件提供195 nC Qg栅极电荷,器件具有350 mOhms的Rds漏极-源极电阻,上升时间为300 ns,系列为IXFR32N100,技术为Si,商品名为HyperFET,晶体管极性为N通道,晶体管类型为1 N通道,单位重量为0.056438盎司,Vds漏极-源极击穿电压为1000V,Vgs栅极-源极电压为30V。