特色
- 650V@TJ=150°C
- 类型。RDS（开）=58mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg=210nC）
- 低有效输出电容（Typ.Coss.eff=420pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 工作站
- 服务器和大型机
- 其他数据处理
FCH47N60
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥106.15194
-
数量:
- +
- 总计: ¥106.15
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 至247-3
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 270 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 47A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 23.5A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8000 pF @ 25 V
- 最大功耗 417W (Tc)
- 部件状态 过时的
FCH47N60 产品详情
SuperFET®MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适合开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、FPD TV电源、ATX电源和工业电源应用。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | FCH040N65S3-F155 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.1673 |
 | FCH072N60F-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 481W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥185.14301 |
 | FCH190N65F-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.6A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.90685 |
 | FCHC20-3R3K-RC | 3.3uH +/-10% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-5R6K-RC | 5.6uH +/-10% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-1R0M-RC | 1.0uH +/-20% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-681K-RC | 680uH +/-10% High Current Chip | ¥0.00 |
FCH47N60所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCH47N60 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCH47N60价格参考￥106.151942，你可以下载 FCH47N60中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCH47N60规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
