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IXFK170N20P是MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds，包括IXFK170N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.352740 oz的数据表注释中，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar HiperFET，以及to-264-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管型，该器件具有1.25 kW的Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为170A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为185nC，并且前向跨导Min为45S，并且信道模式为增强。
IXFK170N20T是MOSFET N-CH 200V 170A TO-264，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于200V，提供单位重量功能，如0.352740盎司，典型开启延迟时间设计为33纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以GigaMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFK170N20，上升时间为28 ns，漏极-源极电阻Rds为11 mOhm，Qg栅极电荷为265 nC，Pd功耗为1.15 kW，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为170 A，正向跨导最小值为85 S，下降时间为22 ns，信道模式为增强型。
IXFK180N07是MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds，包括增强通道模式，它们设计用于单配置，下降时间显示在数据表注释中，用于55 ns，提供正向跨导最小特性，如90 S/55 S，Id连续漏极电流设计用于180 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，设备提供1个通道数量的通道，设备具有TO-264-3封装盒，封装为管，Pd功耗为560 W，漏极电阻Rds为6 mOhms，上升时间为90 ns，系列为IXFK180N07，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为140ns，典型接通延迟时间为65ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Vgs栅极-源极电压为20V。
