9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK30N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK30N50Q参考价格为0.662美元。IXYS IXFK30N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 30A TO264AA。您可以下载IXFK30N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK27N80Q是MOSFET N-CH 800V 27A TO-264，其中包括IXFK27N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.352740盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为27A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为320mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为170nC，正向跨导最小值为20S，并且信道模式是增强。
IXFK30N100Q2是MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK30N100系列，上升时间为14ns，Rds漏极源极电阻为400mOhm，Pd功耗为735W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK27N80是由IXYS制造的MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA。IXFK27N80在TO-264-3、TO-264AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AB、N沟道800V 27B（Tc）500W（Tc）通孔TO-264AC（IXFK）、Trans-MOSFET N-CH Si 800V 27C 3-Pin（3+Tab）TO-264AE。
