9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK32N60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK32N60参考价格为15.768美元。IXYS IXFK32N60封装/规格：MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA。您可以下载IXFK32N60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK32N100P是MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds，包括IXFK32N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.352740盎司的数据表注释中，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为960 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为32A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为320mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为76ns，典型接通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为225nC，正向跨导最小值为13S，并且信道模式是增强。
IXFK32N50Q是MOSFET 32安培500V 0.15 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK32N50系列，上升时间为42纳秒，Rds漏极源极电阻为160毫欧，Pd功耗为416瓦，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为32 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK32N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A，包括单一配置，它们设计为以32A Id连续漏极电流运行，其最大工作温度范围为+150 C，提供安装方式功能，如通孔、通道数设计为在1个通道中工作，以及to-264-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，Pd功耗为1.25 kW，器件提供195 nC Qg栅极电荷，器件具有320 mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为250 ns，系列为IXFK32N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.264555盎司，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为30V。
