9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK35N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK35N50参考价格为2.662美元。IXYS IXFK35N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 35A TO264AA。您可以下载IXFK35N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如IXFK35N50价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFK34N80是MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA，包括IXFK34N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为560 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为34A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强型。
IXFK33N50是MOSFET 33安培500V 0.16 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为110 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK33N50系列，上升时间为42纳秒，漏极源极电阻Rds为160毫欧，Pd功耗为416瓦，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为33 A，下降时间为23 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK32N90P是MOSFET Polar HiPerFET MOSFET w/快速二极管，包括32 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供to-264-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，该设备也可以用作IXFK32N90系列。此外，该技术为硅，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.264555盎司，Vds漏极-源极击穿电压为900 V。
