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IXFK44N80P是MOSFET N-CH 800V 44A TO-264，包括HiPerFET？，PolarHT？系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-264AA（IXFK），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1040W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为12000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为44A（Tc），最大Id Vgs的Rds为190 mOhm@22A，10V，Vgs最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为198nC@10V，Pd功耗为1200 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为22ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为44A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为28ns，沟道模式为增强。
IXFK48N50是MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK48N50系列，上升时间为60 ns，漏极电阻Rds为100 mOhms，Pd功耗为500 W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为48 A，正向跨导最小值为42 S，下降时间为30 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFK48N50Q是MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了10 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，例如48 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为500 W，Rds漏极-源极电阻为100 mOhms，上升时间为22 ns，系列为IXFK48N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为33ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFK44N80Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A，包括管封装，它们设计为与to-264-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供配置功能，如单，技术设计为在硅中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作IXFK44N80系列。此外，商品名为HyperFET，该器件提供800V Vds漏极-源极击穿电压，该器件具有44A的Id连续漏极电流，上升时间为300ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Rds漏极源极电阻为190mOhm，Qg栅极电荷为185nC，Pd功耗为1.25kW，晶体管类型为1N沟道，信道数为1信道，单位重量为0.264555盎司。
