9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK60N25Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK60N25Q参考价格为0.826美元。IXYS IXFK60N25Q封装/规格：MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA。您可以下载IXFK60N25Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFK60N25Q价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFK55N50是MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-264AA（IXFK），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为625W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为9400pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为55A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为90mOhm@27.5A，10V，Vgs最大Id为4.5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为330nC@10V，Pd功耗为560W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为60ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为55A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型导通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为45S，并且信道模式是增强。
IXFK52N60Q2是MOSFET 52安培600V 0.12 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为56 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK52N60系列，上升时间为13 ns，漏极电阻Rds为115 mOhms，Pd功耗为735 W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为52 A，下降时间为8.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK52N30Q是MOSFET 52 Amps 300V 0.06 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了25 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如52 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360 W，Rds漏极-源极电阻为60 mOhms，上升时间为60 ns，系列为IXFK52N30，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为27ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极电压为20V。
