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IXFK73N30Q是MOSFET N-CH 300V 73A TO-264，其中包括IXFK73N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.352740盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为73A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-电源电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为37ns，沟道模式为增强。
IXFK78N50P3是MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3功率MOSFET，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.264555盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，该技术为Si，器件为IXFK78N50系列，器件的上升时间为10ns，漏极-源极电阻Rds为68mOhms，Qg栅极电荷为147nC，Pd功耗为1.13kW，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为78A，并且正向跨导Min为75S40S，并且下降时间为7ns，并且配置为Single。
IXFK74N50P2是MOSFET PolarP2功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为以74 a Id连续漏极电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-264-3包装箱。此外，封装为Tube，器件提供1.4 kW Pd功耗，器件具有77 mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为IXFK74N50，技术为Si，商品名为Polar2 HiPerFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.352740 oz，Vds漏极源极击穿电压为500 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
