9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK80N20Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK80N20Q参考价格$4.67。IXYS IXFK80N20Q封装/规格：MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA。您可以下载IXFK80N20Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFK80N15Q是MOSFET 80安培150V 0.0225 Rds，包括IXFK80N25系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.352740盎司的数据表注释中，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-电源电阻为22.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强。
IXFK80N20是MOSFET 80安培200V 0.03 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40 ns，典型的关闭延迟时间设计为120 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK80N20系列，上升时间为55ns，Rds漏极源极电阻为30mOhms，Pd功耗为360W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为26 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK78N50P3是MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为在7 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了75 S 40 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如78 a，安装样式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-264-3包装箱。此外，封装为Tube，该器件提供1.13 kW Pd功耗，该器件具有147 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为68 mOhms，上升时间为10 ns，系列为IXFK78N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.264555盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为5V。
