9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFL55N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFL55N50参考价格5.992美元。IXYS IXFL55N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 55A ISOPLUS264。您可以下载IXFL55N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFL55N50价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFL44N60是MOSFET 44安培600V 0.13W Rds，包括IXFL44N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.264555盎司的数据表注释中，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为41A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为130mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为42ns，沟道模式为增强。
IXFL44N80是MOSFET 44安培800V 0.165W Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于800 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.264555盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFL44N80系列，上升时间为48纳秒，漏极上的Rds源极电阻为165毫欧，Pd功耗为550瓦，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为44 A，下降时间为24 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFL44N100P是MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于54 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流特性，如22 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为357 W，漏极-源极电阻Rds为240 mOhms，上升时间为68 ns，系列为IXFL44N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为60ns，单位重量为7500g，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为30V。
