9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN100N25,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN100N25参考价格为1.544美元。IXYS IXFN100N25封装/规格:MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B。您可以下载IXFN100N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN100N20是MOSFET 100安培200V 0.023 Rds,包括IXFN100N2 0系列,它们设计用于管式封装,单位重量显示在数据表注释中,用于1.340411盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,商品名设计用于HyperFET,以及SOT-227-4封装盒,该器件也可以用作硅技术。此外,信道数为1信道,该器件采用单双源配置,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为520 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为30 ns,上升时间为80 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为100A,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Rds导通漏极-电源电阻为23mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为75ns,典型接通延迟时间为30ns,沟道模式为增强。
IXFM6N90,带有IXY制造的用户指南。IXFM6N90采用DIP\SOP封装,是IC芯片的一部分。
IXFN10050P,带有IXYS制造的电路图。IXFN10050P在模块包中提供,是模块的一部分。