9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN180N07，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN180N07参考价格为2.374美元。IXYS IXFN180N07封装/规格：MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B。您可以下载IXFN180N07英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN170N30P是MOSFET 138安培300V 0.018 Rds，包括IXFN170N40系列，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为890W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为138A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型导通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为258nC，正向跨导最小值为57S，并且信道模式是增强。
IXFN17N80，带有IXYS制造的用户指南。IXFN17N80在模块包中提供，是模块的一部分。
IXFN180N06，电路图由IXYS制造。IXFN180N06在模块包中提供，是模块的一部分。
