9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN23N100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN23N100参考价格为1.324美元。IXYS IXFN23N100封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B。您可以下载IXFN23N100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN230N20T是MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227，包括GigaMOS？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于GigaMOS，以及SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该器件也可以用作Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为底盘安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-227B，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1090W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为28000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为220A，最大Id Vgs上的Rds为7.5 mOhm@60A，10V，Vgs最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为378nC@10V，Pd功耗为1.09 kW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为230A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs第th栅极-源阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为104ns，典型导通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为378nC，并且前向跨导Min为100S，并且信道模式为增强。
IXFN21N100Q，带有IXYS制造的用户指南。IXFN21N100Q在模块封装中提供，是模块的一部分，N通道1000V 21A（Tc）520W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 4引脚SOT-227A，MOSFET 21安培1000V 0.5 Rds。
IXFN230N10，电路图由IXYS制造。IXFN230N10在模块封装中提供，是模块的一部分，N通道100V 230A（Tc）700W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 100V 230B 4引脚SOT-227A，MOSFET 230安培100V 0.006 Rds。
