9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN32N60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN32N60参考价格为1.312美元。IXYS IXFN32N60封装/规格：MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B。您可以下载IXFN32N60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN32N120P是MOSFET 32安培1200V，包括IXFN32N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该设备采用单双源配置，该设备具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1 kW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为58 ns，上升时间为62 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为32A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为310mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为88ns，典型接通延迟时间为70ns，Qg栅极电荷为360nC，正向跨导最小值为17S，并且信道模式是增强。
IXFN32N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFN32N1003，器件的上升时间为300 ns，器件的漏极-源极电阻为320 mOhms，Qg栅极电荷为195 nC，Pd功耗为780 W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为28 A，配置为单一。
IXFN32N120是由IXYS制造的Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 32A 4引脚SOT-227B。IXFN32N120采用模块封装，是模块的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH Si 1.2KV 32A 4引脚SOT-227B。
