9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN34N100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN34N100参考价格为1.5美元。IXYS IXFN34N100封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B。您可以下载IXFN34N100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如IXFN34N100价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFN340N06是MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds，包括IXFN340NO6系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为700 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为95 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为340A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为200ns，典型接通延迟时间为140ns，沟道模式为增强。
IXFN32N80P是MOSFET 29安培800V 0.27 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为85 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFN32N80系列，上升时间为29纳秒，Rds漏极源极电阻为270毫欧，Pd功耗为625瓦，封装为管，封装盒为SOT-227-4，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为29 A，下降时间为26 ns，配置为单双源，通道模式为增强。
IXFN340N07是由IXYS制造的“MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V”。IXFN340NO7可在模块封装中提供，是模块的一部分，并支持“MOSFET HiperFET功率MOSFET 70A，N通道70V 340A（Tc）700W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 70V 340B 4引脚SOT-227A，MOSFET Hiper FET功率MOS 70V，340A。
