9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN44N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN44N50Q参考价格为2.01美元。IXYS IXFN44N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B。您可以下载IXFN44N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN44N100P是MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds，包括IXFN44N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为890 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为54 ns，上升时间为68 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为37A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为220mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为60ns，Qg栅极电荷为305nC，正向跨导最小值为20S，并且信道模式是增强。
IXFN44N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFN44N100，器件的上升时间为300纳秒，器件的漏极-源极电阻为220 mOhms，Qg栅极电荷为264 nC，Pd功耗为960 W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+150 C，并且Id连续漏极电流为38A，并且配置为单一。
IXFN44N50，电路图由IXYS制造。IXFN44N50在模块包中提供，是模块的一部分，N通道500V 44A（Tc）520W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH 500V 44A 4引脚SOT-227A，MOSFET 500V 44A。
