9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN80N48，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN80N48参考价格为3.936美元。IXYS IXFN80N48封装/规格：MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B。您可以下载IXFN80N48英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN73N30Q是MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds，包括IXFN73N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为73A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-电源电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为37ns，沟道模式为增强。
IXFN75N50，带有IXYS制造的用户指南。IXFN75N50在模块包中提供，是模块的一部分。
IXFN79N20，带有FUJI制造的电路图。IXFN79N20在模块包中提供，是模块的一部分。
