9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFQ26N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFQ26N50参考价格为2.442美元。IXYS IXFQ26N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 26A TO3P。您可以下载IXFQ26N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFQ20N50P3是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括IXFQ20N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-3P-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，Pd功耗为380 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3V至5V，Rds漏极-源极电阻为300mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为36nC，正向跨导Min为11S，沟道模式为增强。
IXFQ14N80P是MOSFET 14安培800V 0.72 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为62 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFQ14N80系列，上升时间为29纳秒，漏极电阻Rds为700毫欧，Pd功耗为400瓦，封装为管，封装盒为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为14 A，下降时间为27 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFQ22N60P3是MOSFET 600V 22A 0.36 Ohm PolarP3功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为在19 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于24 S 14 S的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流功能，如22 a，安装样式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-3P-3包装箱。此外，封装为Tube，器件提供500 W Pd功耗，器件具有38 nC的Qg栅极电荷，漏极-源极电阻Rds为360 mOhms，上升时间为17 ns，系列为IXFQ22N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为5V。
IXFQ23N60Q是MOSFET 23安培600V，包括管封装，设计用于to-268-2封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N沟道，以及IXFQ23N80系列，该器件也可以用作600V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Id连续漏电流为23 A，该设备的单位重量为0.158733盎司。
