9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR100N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR100N25参考价格为2.644美元。IXYS IXFR100N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247。您可以下载IXFR100N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFQ50N60P3是MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3功率MOSFET，包括IXFQ50N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-3P-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1040W，下降时间为17ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第栅极-源极阈值电压为5V，Rds漏极-源极电阻为145mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为94nC，正向跨导Min为55S 32S。
IXFQ60N50P3是MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3功率MOSFET，包括5V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于30V Vgs栅-源电压，Vds漏-源击穿电压显示在数据表注释中，用于500 V，提供单位重量功能，如0.056438盎司，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，该技术为Si，器件为IXFQ60N50系列，器件的上升时间为16ns，漏极-源极电阻Rds为100mOhms，Qg栅极电荷为96nC，Pd功耗为1040W，封装为管，封装盒为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为60A，并且正向跨导Min为60S 35S，并且下降时间为8ns，并且配置为Single。
IXFQ94N30P3是MOSFET N沟道：功率MOSFET，带快速二极管，包括94 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1沟道的沟道数量，该沟道提供to-3P-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及36 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXFQ94N30系列。此外，该技术为硅，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为300 V。
