9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR10N100Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR10N100Q参考价格为32.3美元。IXYS IXFR10N100Q封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247。您可以下载IXFR10N100Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR102N30P是MOSFET 54安培300V 0.033 Rds，包括IXFR102N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为250 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为224nC，正向跨导Min为45S，并且信道模式是增强。
IXFR100N25是MOSFET 87安培250V 0.027 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如42纳秒，典型的关闭延迟时间设计为110纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR100N25系列，上升时间为55ns，漏极源极电阻Rds为27mOhms，Pd功耗为400W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为87 A，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFQ94N30P3是MOSFET N沟道：功率MOSFET，带快速二极管，包括94 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1沟道的沟道数量，该沟道提供to-3P-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及36 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXFQ94N30系列。此外，该技术为硅，该器件以HyperFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为300 V。
