9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR12N120P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR12N120P参考价格为7.314美元。IXYS IXFR12N120P封装/规格：MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247。您可以下载IXFR12N120P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR12N100Q是MOSFET 12安培1000V 1 Rds，包括IXFR12N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为250 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-电源电阻为1.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
IXFR10N100Q是MOSFET MOSFET w/FAST本征二极管，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXFR10N100系列，器件的上升时间为23 ns，漏极电阻Rds为1.2欧姆，Pd功耗为250 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为15 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXFR120N20是由IXYS制造的MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247。IXFR120N20在ISOPLUS247中提供™ 封装是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247、N沟道200V 105B（Tc）417W（Tc）通孔ISOPLUS147？。
