9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR15N100P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR15N100P参考价格为3.712美元。IXYS IXFR15N100P封装/规格：MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247。您可以下载IXFR15N100P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR140N20P是MOSFET 75安培200V 0.018 Rds，包括IXFR140N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT ISOPLUS247 HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为240nC，正向跨导Min为50S，并且信道模式是增强。
IXFR140N30P是MOSFET 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds，包括5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于300 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar HiperFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFR140N30，上升时间为30 ns，漏极源极电阻Rds为26 mOhms，Qg栅极电荷为185 nC，Pd功耗为300 W，封装为Tube，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为70 A，正向跨导最小值为50 S，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR14N100Q2是MOSFET 14 Amps 1000V，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了12 ns的下降时间，提供了9.5 a等Id连续漏极电流特性，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为200W，漏极电阻Rds为1欧姆，上升时间为10ns，系列为IXFR14N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为30V。
