9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR25N90，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR25N90参考价格为2.058美元。IXYS IXFR25N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247。您可以下载IXFR25N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR24N80P是MOSFET 14安培800V 0.42 Rds，包括IXFR24N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为208 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为13A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为420mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为105nC，并且前向跨导Min为15S 25S，并且信道模式为增强。
IXFR24N50Q是MOSFET 22安培500V 0.23 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如28 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR24N50系列，上升时间为30纳秒，漏极上的Rds源极电阻为230毫欧，Pd功耗为250瓦，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为22 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR24N90Q是MOSFET 22 Amps 900V 0.47W Rds，包括单配置，它们设计用于22 a Id连续漏电流，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1通道，封装盒设计用于to-247-3，以及管封装，该器件也可以用作470mW Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为470毫欧，该器件为IXFR24N90系列，该器件具有技术硅，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.056438盎司，Vds漏极源极击穿电压为900 V。
