9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR30N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR30N50Q参考价格为3.498美元。IXYS IXFR30N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247。您可以下载IXFR30N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR26N50Q是MOSFET 24安培500V 0.2 Rds，包括IXFR26N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为250 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-电源电阻为200mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为28ns，沟道模式为增强。
IXFR26N60Q是MOSFET 23安培600V 0.25 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR26N60系列，上升时间为32纳秒，漏极源极电阻Rds为250毫欧，Pd功耗为310瓦，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为23 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR27N80Q是MOSFET 27安培800V 0.35W Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了13纳秒的下降时间，提供了Id连续漏电流功能，如27 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为500 W，漏极-源极电阻Rds为300 mOhms，上升时间为28 ns，系列为IXFR27N80，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
