9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR70N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR70N15参考价格为0.42美元。IXYS IXFR70N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247。您可以下载IXFR70N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFR70N15价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFR64N60P是MOSFET DIODE Id36 BVdass600，包括IXFR64N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.186952盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为36A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为105mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型接通延迟时间为28ns，正向跨导最小值为63S，沟道模式为增强。
IXFR64N60Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFR64N60，器件的上升时间为300纳秒，器件的漏极-源极电阻为104 mOhms，Qg栅极电荷为190 nC，Pd功耗为568W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为42 a，并且配置是单一的。
IXFR66N50Q2是由IXYS制造的MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247。IXFR66N50Q2在ISOPLUS247中提供™ 封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247，N通道500V 50A（Tc）500W（Tc）通孔ISOPLUS147？。
