9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR80N15Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR80N15Q价格参考2.888美元。IXYS IXFR80N15Q封装/规格：MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247。您可以下载IXFR80N15Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR70N15是MOSFET 67安培150V 0.028 Rds，包括IXFR70N1 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为250 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为52 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为67A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-电源电阻为28mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IXFR80N10Q是MOSFET 80 Amps 100V 0.018 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为68 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXFR80N10系列，器件的上升时间为70 ns，漏极电阻Rds为15 mOhms，Pd功耗为310 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为76 A，下降时间为30 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXFR75N10Q是MOSFET 75安培100V 0.02 Rds，包括75 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、漏极电阻等封装特性，设计用于20 mOhms，以及IXFR75N1 0系列，该器件也可以用作Si技术。此外，单位重量为0.056438盎司，该器件提供100 V Vds漏极-源极击穿电压。
