9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR90N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR90N20参考价格为2.292美元。IXYS IXFR90N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247。您可以下载IXFR90N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR80N50P是MOSFET 500V 80A，包括IXFR80N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.186952盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为45A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为72mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为70S，沟道模式为增强。
IXFR80N20Q是MOSFET 80安培200V 0.03 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR80N20系列，上升时间为50纳秒，漏极上的Rds源极电阻为28毫欧，Pd功耗为310瓦，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为71 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFR80N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A，包括单一配置，它们设计为在50 a Id连续漏电流下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1个通道，封装盒设计用于to-247-3，以及管封装，该器件也可以用作570W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为200nC，器件提供72mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有250ns的上升时间，系列为IXFR80N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.056438oz，Vds漏极源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
