9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT10N100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT10N100参考价格为2.694美元。IXYS IXFT10N100封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 10A TO268。您可以下载IXFT10N100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR90N30是MOSFET 75安培300V 0.033 Rds，包括IXFR90N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为417 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为36mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为42ns，Qg栅极电荷为360nC，正向跨导最小值为40S，并且信道模式是增强。
IXFR90N20Q是MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds，包括200 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.056438盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-247-3，该器件采用通孔安装方式，该器件具有90A的Id连续漏电流。
IXFR9N80Q是MOSFET 9安培800V，包括9 A Id连续漏电流，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管等封装功能，系列设计用于IXFR9N60，以及Si技术，该设备也可用于0.056438盎司单位重量。此外，Vds漏极-源极击穿电压为800V。
