9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT14N100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT14N100参考价格为2.022美元。IXYS IXFT14N100封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 14A TO268。您可以下载IXFT14N100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT140N10P是MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds，包括IXFT140N0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为140A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为155nC，正向跨导Min为45S，并且信道模式是增强。
IXFT12N90Q是MOSFET 12安培900V 0.9欧姆Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于900 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT12N90系列，上升时间为23ns，漏极电阻Rds为900mOhms，Pd功耗为300W，封装为管，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT13N80Q是MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于19 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流功能，如13 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为250W，漏极电阻Rds为700mOhms，上升时间为36ns，系列为IXFT13N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为23ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
