9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT30N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT30N50参考价格为1.98美元。IXYS IXFT30N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 30A TO268。您可以下载IXFT30N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT26N60P是MOSFET 600V 26A，包括IXFT26N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为460 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为270mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为26S，沟道模式为增强。
IXFT26N60Q是MOSFET 28安培600V 0.25 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT26N60系列，上升时间为32纳秒，Rds漏极源极电阻为250毫欧，Pd功耗为360 W，封装为管，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为26 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT30N40Q是MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供Id连续漏电流功能，例如30 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，Rds漏极-源极电阻为160 mOhms，上升时间为35 ns，系列为IXFT30N40，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为51ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Vgs栅极-源极电压为20V。
