9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT80N15Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT80N15Q参考价格$4.56。IXYS IXFT80N15Q封装/规格：MOSFET N-CH 150V 80A TO268。您可以下载IXFT80N15Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT80N10是MOSFET 80安培100V 0.125 Rds，包括IXFT80N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为63 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-电源电阻为12.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为41ns，沟道模式为增强。
IXFT80N10Q是MOSFET 80安培100V 0.015 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为68 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT80N10系列，上升时间为70纳秒，Rds漏极源极电阻为15毫欧，Pd功耗为360 W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为30 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT80N085是由IXYS制造的MOSFET MOSFET。IXFT80NO85以TO-268封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFETMOSFET、N沟道85V 80A（Tc）300W（Tc）表面安装TO-268、Trans MOSFET N-CH 85V 80B 3引脚（2+Tab）TO-268，MOSFET MOSFET、INTR DIODE 85V、80A。
