9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX120N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX120N25参考价格$4.398。IXYS IXFX120N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3。您可以下载IXFX120N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX120N20是MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.257500盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备为通孔安装型，该设备具有1个通道数，供应商设备包为PLUS247-3，且配置为单，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为560W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Ciss Vds为9100pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tc），最大Id Vgs为17mOhm@60A，10V，Vgs最大Id为4V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为300nC@10V，Pd功耗为560W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35ns，上升时间为65ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为17mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为40ns，正向跨导最小值为77S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IXFX100N65X2，包括2.7 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为59 ns，以及83 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HiPerFET，该器件采用Si技术，该器件具有24 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为30 mOhms，Qg栅极电荷为180 nC，Pd功耗为1.04 kW，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为100 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为7 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFX100N25是MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于40 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如100 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为560 W，漏极-源极电阻Rds为27 mOhms，上升时间为55 ns，系列为IXFX100N25，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为42ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为20V。
