9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX14N100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX14N100参考价格$6.562。IXYS IXFX14N100封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3。您可以下载IXFX14N100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX120N65X2，带引脚细节，包括HiPerFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备为通孔安装型，该设备具有1个通道数，供应商设备包为PLUS247-3，且配置为单，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，功率最大值为1250W，漏极至源极电压Vdss为650V，输入电容Cis-Vds为15500pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tc），Rds On Max Id Vgs为24mOhm@60A，10V，Vgs th Max Id为5.5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为225nC@110V，Pd功耗为1.25kW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为12ns，上升时间为23ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为64ns，Qg栅极电荷为225nC，正向跨导Min为46S，沟道模式为增强。
IXFX140N30P是MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于300 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFX140N30，上升时间为30 ns，漏极源极电阻Rds为24 mOhms，Qg栅极电荷为185 nC，Pd功耗为1.04 kW，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为140 A，正向跨导最小值为50 S，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFX140N25T是MOSFET 140A 250V，包括增强通道模式，它们被设计为在22 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于80S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，例如140 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为960W，Qg栅极电荷为255nC，漏极电阻Rds为17mOhm，上升时间为29ns，系列为IXFX140N25，技术为Si，商品名为GigaMOS，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为92ns，典型接通延迟时间为33ns，单位重量为0.257500oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为5V。
