9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX32N50，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX32N50参考价格为0.878美元。IXYS IXFX32N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3。您可以下载IXFX32N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX32N100P是MOSFET 32安培1000V 0.32 Rds，包括IXFX32N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为960 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为32A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为320mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为76ns，典型接通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为225nC，正向跨导最小值为13S，并且信道模式是增强。
IXFX32N100Q3是MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFX32N100，器件的上升时间为250 ns，器件的漏极-源极电阻为320 mOhms，Qg栅极电荷为195 nC，Pd功耗为1.25 kW，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为32 A，配置为单一。
IXFX320N17T2是由IXYS制造的栅极驱动器GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET。IXFX320N17T2在PLUS-47封装中提供，是PMIC-栅极驱动器的一部分，并支持栅极驱动器GigaMOS沟槽T2 HiperFET PWR MOSFET，N沟道170V 320A（Tc）1670W（Tc）通孔PLUS247-3，Trans MOSFET N-CH 170V 320A 3引脚（3+Tab）PLUS 247。
