9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX44N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX44N50Q参考价格为4.358美元。IXYS IXFX44N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3。您可以下载IXFX44N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFX44N50Q价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFX40N90P是MOSFET Polar HiperFET功率MOSFET，包括IXFX40N90系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为960 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅源电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V至6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为210mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型导通延迟时间为53ns，Qg栅极电荷为230nC，并且正向跨导Min为30S。
IXFX420N10T是MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247，包括5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为47 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为GigaMOS HiperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFX420N10系列，上升时间为155纳秒，漏极源极电阻Rds为2.6毫欧，Qg栅极电荷为670 nC，Pd功耗为1.67 kW，封装为管，封装外壳为TO-247-3，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为420 A，正向跨导最小值为110 S，下降时间为255 ns，信道模式为增强。
IXFX38N80Q2是MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供Id连续漏极电流功能，如38 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为735W，漏极电阻Rds为220mOhms，上升时间为16ns，系列为IXFX38N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为30V。
