9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX62N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX62N25参考价格为0.338美元。IXYS IXFX62N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247-3。您可以下载IXFX62N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX55N50是MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247，包括IXFX55N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.257500盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为560 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为55A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为45S，沟道模式为增强。
IXFX60N55Q2是MOSFET 60安培550V 0.09 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于550 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为57 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFX60N55系列，上升时间为14ns，漏极电阻Rds为88mOhms，Pd功耗为735W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为60 A，下降时间为9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFX55N50F是由IXYS制造的MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247。IXFX55N50F在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247、N通道500V 55A（Tc）560W（Tc）通孔PLUS247-3，Trans MOSFET N-CH Si 500V 55A 3引脚（3+Tab）PLUS 247。
