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SUD35N10-26P-T4GE3是MOSFET N沟道100-V D-S,包括卷轴封装,它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能,技术设计为在Si中工作,以及1信道数量的信道,该设备也可以用作单一配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供8.3 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为12 A,Vds漏极-源极击穿电压为100 V,Rds漏极源极电阻为26 mOhms,并且晶体管极性是N沟道。
SUD40N02,带有VISHAY制造的用户指南。SUD40N02提供TO-252封装,是FET的一部分-单体。
SUD40N02-08是VISHAY制造的MOSFET N-CH 20V 40A TO252。SUD40N02-08提供TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 20V 40A TO252。