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IXFK24N80P是MOSFET 24安培800V 0.4 Rds，包括IXFK24N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.352740盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及to-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为650 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为400m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为105nC，正向跨导最小值为15S，并且信道模式是增强。
IXFK25N90是MOSFET 25安培900V 0.33 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如60 ns，典型的关闭延迟时间设计为130 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK25N90系列，上升时间为35ns，Rds漏极源极电阻为330mOhms，Pd功耗为560W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为25 A，下降时间为24 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK24N90Q是MOSFET 24安培900V 0.45 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供Id连续漏电流功能，例如24 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为500W，漏极电阻Rds为450mOhms，上升时间为21ns，系列为IXFK24N90，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFK24N100Q3是MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264，包括管封装，它们设计为与TO-264-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFK24N200系列。此外，商品名为HyperFET，该器件提供440 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有300 ns的上升时间，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为24 a，Qg栅极电荷为140 nC，Vds漏极源极击穿电压为1000 V，晶体管类型为1 N沟道，Pd功耗为1 kW，信道数为1信道，单位重量为0.264555盎司。
