9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX260N17T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX260N17T参考价格为3.226美元。IXYS IXFX260N17T封装/规格：MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247-3。您可以下载IXFX260N17T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFX25N90是MOSFET 25安培900V 0.33 Rds，包括IXFX25N90系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为560 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-电源电阻为330mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为60ns，沟道模式为增强。
IXFX24N90Q是MOSFET 24安培900V 0.45 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于900 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFX24N90系列，上升时间为21ns，漏极电阻Rds为450mOhms，Pd功耗为500W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为24 A，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFX24N100Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A，包括单一配置，它们设计为以24A Id连续漏电流运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1个通道，封装外壳设计用于to-247-3，以及管封装，该装置也可以用作1kW Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为140 nC，器件提供440 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有300 ns的上升时间，系列为IXFX24N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N通道，晶体管类型为1 N通道，单位重量为0.056438 oz，Vds漏极源极击穿电压为1000 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFX250N10P是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N沟道，以及IXFX250N20系列，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，Rds漏极-源极电阻为6.5 mOhms，器件提供250 A Id连续漏极电流，器件具有100 V Vds漏极源极击穿电压，单位重量为0.056438盎司。
