9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFV12N90P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFV12N90P参考价格为23.592美元。IXYS IXFV12N90P封装/规格：MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220。您可以下载IXFV12N90P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT96N20P是MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds，包括IXFT96N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为96A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为145nC，正向跨导最小值为40S，并且信道模式是增强。
IXFT9N80Q是MOSFET 9安培800V 1.1W Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXFT9N80系列，器件的上升时间为20 ns，漏极电阻Rds为1.1欧姆，Pd功耗为180 W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为13 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXFT94N30T是MOSFET沟槽HiperFET功率MOSFET，包括94 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装方式，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-268-2等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及36 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXFT94N30系列。此外，该技术为Si，该器件以HiPerFET商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.229281盎司，Vds漏极-源极击穿电压为300 V。
IXFV12N90，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFV12N90采用TO220封装，是FET的一部分-单个。
