9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFV18N90PS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFV18N90PS参考价格为9.834美元。IXYS IXFV18N90PS封装/规格：MOSFET N-CH 900V 18A PLUS-20SMD。您可以下载IXFV18N90PS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFT96N20P是MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds，包括IXFT96N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为96A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为145nC，正向跨导最小值为40S，并且信道模式是增强。
IXFV15N100P是MOSFET 15安培1000V 1 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如41 ns，典型的关闭延迟时间设计为44 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HiPerFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFV15N100系列，上升时间为44ns，漏极源极电阻Rds为760mOhms，Pd功耗为543W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为58 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT9N80Q是MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于13 ns，提供Id连续漏极电流特性，如9 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为1.1欧姆，上升时间为20 ns，系列为IXFT9N80，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFV12N90，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFV12N90采用TO220封装，是FET的一部分-单个。
