9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN0545FFTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN0545FFTA价格参考3.844美元。Diodes Incorporated ZXMN0545FFTA封装/规格：MOSFET N-CH 450V SOT23F-3。您可以下载ZXMN0545FFTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMHC6A07T8TA是MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8，包括ZXMHC6A系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-223-8等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为4信道，该设备在SM8供应商设备包中提供，该设备具有半桥配置，FET类型为2 N和2 P信道（H桥），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N-信道2 P信道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为166pF@40V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为1.6A、1.3A，最大Id Vgs的Rds为300 mOhm@1.8A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@10V，Pd功耗为1.7 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，并且下降时间为2ns 5.8ns，上升时间为1.4ns 2.3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.8A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V，Rds漏极上源极电阻为300mOhms 425 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为4.9ns 13ns，典型接通延迟时间为1.8ns 1.6ns，Qg栅极电荷为3.2nC 5.1nC，正向跨导最小值为2.3S 1.8S，信道模式为增强。
ZXMHN6A07T8TA是MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如1.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为4.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在SM8供应商器件封装中提供，该器件具有ZXMHN6系列，上升时间为1.4 ns，Rds On Max Id Vgs为300 mOhm@1.8A，10V，Rds On Drain Source电阻为300 mOhm，功率最大值为1.6W，Pd功耗为1.6 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-223-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为4通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为166pF@40V，Id连续漏电流为1.6A，栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@10V，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为1.4 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id为25°C为1.4A，配置为半桥，沟道模式为增强型。
ZXMN01E6TA，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN01E6TA采用SOT-163封装，是IC芯片的一部分。
ZXMN03E6TA，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN03E6TA采用SOT-163封装，是IC芯片的一部分。
