9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN2F34MATA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2F34MATA参考价格为10.348美元。Diodes Incorporated ZXMN2F34MATA封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4A DFN322。您可以下载ZXMN2F34MATA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN2F34FHTA是MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3，包括ZXMN2F34系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为950mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为277pF@10V，FET的特点是逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为3.4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@2.5A，4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.8nC@4.5V，Pd功耗为950 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.2ns，上升时间为4.2纳秒，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为4A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.9ns，典型导通延迟时间为2.65ns，并且信道模式是增强。
ZXMN2F34FH，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN2F34FH采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
ZXMN2F34FHTA/KNB，电路图由30000ZETEX制造。ZXMN2F34FHTA/KNB采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
