9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD50N03-09P-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD50N03-09P-GE3参考价格$18.248。Vishay Siliconix SUD50N03-09P-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 63A TO252。您可以下载SUD50N03-09P-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD50N03-09P-E3是MOSFET N-CH 30V 63A TO252，包括卷筒包装，它们设计用于SUD50M03-09P零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为7.5W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为63A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为45nC，沟道模式为增强型。
SUD50N03-07-T4，带有SILICONIX制造的用户指南。SUD50N03-07-T4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SUD50N03-09，带有VISHAY制造的电路图。SUD50N03-09采用TO-252-2封装，是IC芯片的一部分。
SUD50N03-09P，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SUD50N03-09P提供TO252封装，是FET的一部分-单个。
